Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/35V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: A21/B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V/10V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.12W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1000V/500V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Maximal förlust Ptot [W]: 22W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 220 MHz. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: lo-sat . Kollektorström: 0.7A. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V

Kostnad): 120pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Ljudeffektförstärkare, DC-DC-omvandlare. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB817. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 15A. Märkning på höljet: D1062. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: höghastighetsväxelriktare, omvandlare, låg-sat. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB826

Kostnad): 200pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 130V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Vebo: 10V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 230. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 4A. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 70V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: ersättning

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: ersättning

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB892. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SD1279. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 600V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M37/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 7A. Maximal förlust Ptot [W]: 70W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: 2.32k Ohms. Kollektorström: 0.5A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V

Konditioneringsenhet: 30. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Triple Diffused Planar". Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 7V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz