Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 9.28kr | 11.60kr |
5 - 9 | 8.81kr | 11.01kr |
10 - 23 | 8.35kr | 10.44kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 9.28kr | 11.60kr |
5 - 9 | 8.81kr | 11.01kr |
10 - 23 | 8.35kr | 10.44kr |
2SD1207. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB892. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 22:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.