Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SANYO--PCP. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DK, hFE 120...200

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 180. Kollektorström: 5A. Id(imp): 8A. Märkning på höljet: DK. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SANYO--PCP. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DK

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 3.5A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V

Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: bipolär transistor. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: DAQ. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxiell plan typ . Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod DAQ

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 7A. Id(imp): 12A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1135. Pd (effektförlust, max): 30W. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 12A. Id(imp): 15A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1136. Pd (effektförlust, max): 30W. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1186A

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 2A. obs: >1000. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. CE-diod: ja

Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högströmsväxling. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 35. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1202. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 35. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiala plana kiseltransistorer". Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1204

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 5000. Minsta hFE-förstärkning: 2000. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: "Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor"

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsförstärkare.. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1274

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: isolerad pakettransistor. Minsta hFE-förstärkning: 3000. Kollektorström: 4A. obs: =3000. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1342

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/650V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): 1500V. Drifttemperaturområde max (°C): 650V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Funktion: S-L TV/HA(F)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 2.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V

Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 3A. Märkning på höljet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Triple Diffused Type. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1366. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS