2SD2012

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	19.95kr	24.94kr
5 - 9	18.96kr	23.70kr
10 - 24	17.96kr	22.45kr
25 - 49	16.96kr	21.20kr
50 - 99	16.56kr	20.70kr
100 - 249	16.16kr	20.20kr
250+	15.36kr	19.20kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	19.95kr	24.94kr
5 - 9	18.96kr	23.70kr
10 - 24	17.96kr	22.45kr
25 - 49	16.96kr	21.20kr
50 - 99	16.56kr	20.70kr
100 - 249	16.16kr	20.20kr
250+	15.36kr	19.20kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

2SD2012. Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 3A. Märkning på höljet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Triple Diffused Type. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1366. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 59

KSD2012GTU

Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 32...

Set med 1

23.79kr moms incl.
(19.03kr exkl. moms)

23.79kr