Transistorer

Kostnad): 200pF. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 15A. Märkning på höljet: C5242. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1962. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 12:1. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippel diffusions mesa typ". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1700V. Vebo: 6V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Display-HA. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. CE-diod: ja

BE-motstånd: 43 Ohms. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: För högupplöst horisontell avböjning. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: Display-HA MONITOR. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 20A. Pd (effektförlust, max): 120W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: 8.729.033.99. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 4. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 35A. Märkning på höljet: C5302. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: snabb hastighet (tf=100ns typ). Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1987. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 150mA. Ic(puls): 400mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92S. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA608. CE-diod: ja

Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 4.3. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorström: 10A. obs: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Kollektorström: 14A. Ic(puls): 28A. Pd (effektförlust, max): 60W. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: VCE(sat) max. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 190pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: HA, Hi-res. Kollektorström: 14A. Ic(puls): 28A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.15us. Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Typ av transistor: NPN. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Horisontell avböjningsutgång. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5449. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Hölje: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 6V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 90. Kollektorström: 70mA. Märkning på höljet: LN. Pd (effektförlust, max): 0.1W. Hölje (enligt datablad): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. Spec info: screentryck/SMD-kod LN

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 12:1. Minsta hFE-förstärkning: 6. Kollektorström: 17A. Ic(puls): 30A. Märkning på höljet: C5583. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: "Trippel diffusions mesa typ"

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hi-res, monitor 19. Kollektorström: 15A. obs: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet. Max hFE-förstärkning: 11. Minsta hFE-förstärkning: 3. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 36A. Märkning på höljet: C5696. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 5V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-motstånd: ja. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 7. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5698. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 5V. Funktion: hög hastighet, CTV-HA. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 7.5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 15W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 7.5A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.135V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2039

Konditioneringsenhet: 100dB. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 11A. Märkning på höljet: C5707. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.11V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2040. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS