Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. FT: 270 MHz. Kollektorström: 0.7A. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Antal per fodral: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

RoHS: ja. Komponentfamilj: dubbel NPN bipolär transistor. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SMV-5. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 5. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 0.15A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 80 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: (F). Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 7V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: Switching Power Transistor. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Spec info: HFX-serien

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1633. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VHF bredbandsförstärkare. Kollektorström: 0.3A. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v

Kostnad): 35pF. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Högspännings NPN-transistor för ljud och allmänna applikationer.. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): FM20 (TO220F). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1668. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1671

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1672

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 85W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1673

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: SMPS. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Funktion: NF/L. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1695

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Funktion: NF/L. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1695

Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Teknik: NPN Triple Diffused Planar Transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): FM20 (TO220F). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 6 MHz. Funktion: Högspänningsswitchtransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 550V. Vebo: 7V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: (F). Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

Kostnad): 14pF. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 2.5A. Märkning på höljet: 12.9k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Hölje: SC-71. Hölje (enligt datablad): SC-71. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1770. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 10mA. obs: Ic--10mA/30mApp. Pd (effektförlust, max): 2W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Funktion: dynamisk fokus, högspänningsomkoppling. Spec info: TO-220FI (Forming)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 10mA. obs: Ic--10mA/30mApp. Pd (effektförlust, max): 2W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1800V. Funktion: dynamiskt fokus. Spec info: TO-220FI

Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Funktion: Io-sat. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 2A. obs: screentryck/SMD-kod DK. Märkning på höljet: DK. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1797. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5.5 MHz. Funktion: TV Dynamic Focus Applications. Kollektorström: 50mA. obs: Högspänningsomkopplingsapplikationer. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Spec info: TO-220F

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI NF-E. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 55W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. obs: (F). Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1803