Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 0.1A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 250 MHz. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1360

Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Funktion: hFE 15...30. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Funktion: hFE 20...40. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Kostnad): 1.7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: C3467. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SC-51 ( MP ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: 9mm höjd. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funktion: Video, Hi-def. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/100V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

Kostnad): 2.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: C3503-D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 7W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Ljudspänningsförstärkare, CRT-definition, videoutgång. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1381. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 250pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 130W. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Vebo: 5V. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare. Teknik: NPN epitaxiell plan transistor. Hölje (enligt datablad): TO3P-3L. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1386A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 250MHz. Funktion: Hi-beta. Max hFE-förstärkning: 3200. Minsta hFE-förstärkning: 800. Kollektorström: 700mA. Ic(puls): 1A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SC-43B, TO92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.14V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Vebo: 15V. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/800V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Maximal förlust Ptot [W]: 150W

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Lågfrekvensomvandlarapplikationer. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. obs: hFE 140...280. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1480

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/18V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

Funktion: S-L. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/16V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W