Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8A/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/19V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1249. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC3157. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1265

Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Kollektorström: 0.02A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Kollektorström: 0.05A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.15A. Märkning på höljet: C3198. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 150mA. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: ersättning KTA1267. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minsta hFE-förstärkning: 500. Kollektorström: 2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. obs: 9mm. Antal per fodral: 1

Kostnad): 250pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1294. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Kollektorström: 17A. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1295

Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Kollektorström: 17A. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: med detta fodral endast så länge lagret räcker!

Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1301

Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1302. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Kollektorström: 14A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1303

Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Hölje: TO-220FP. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1306

Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Märkning på höljet: C3303. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 8V. Antal per fodral: 1. Funktion: NF/SL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Högspänningsomkopplingsapplikationer. Kollektorström: 0.7A. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. obs: hFE 140...280. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1319

Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Antal per fodral: 1