Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Kollektorström: 0.1A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 0.3A. Temperatur: +135°C. Pd (effektförlust, max): 0.6W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epytaxial Planar Type. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 17V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: RF-förstärkare på VHF-band

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Samlarström Ic [A], max.: 700mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: E-33. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA940. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 27 MHz. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 120MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 900mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA966. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA968

Kostnad): 3pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 350. Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: C2240BL. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970BL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 3pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: C224GR. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970GR. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 35. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.1A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

Kostnad): 30pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Högspänningsväxling, AF-effektförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1011. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/100V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

Kostnad): 20pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 1A. Märkning på höljet: C2383 Y. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1013. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 180. Kollektorström: 0.15A. Märkning på höljet: BQ. Temperatur: +155°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 400mV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod BQ. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1037. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: P22/U. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W