Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: CSC2342. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Spec info: höjd 5 mm

Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 5A. Märkning på höljet: C2500. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: NPN epitaxiell kiseltransistor. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 200V. Samlarström Ic [A], max.: 17A. Maximal förlust Ptot [W]: 200W

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Funktion: hFE 100...200. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 19pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 1.2A. Ic(puls): 2.5A. Märkning på höljet: C2690A Y. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1220A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 1.8pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 800mA. Märkning på höljet: C2705. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. obs: 9mm. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1145. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: DG. Pd (effektförlust, max): 150mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 300mV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod DG. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1163. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-103. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: För muting och växling. Max hFE-förstärkning: 1200. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 300mA. Pd (effektförlust, max): 400mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 130 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.042V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Vebo: 25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC2910. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): 70mA. Drifttemperaturområde max (°C): 140mA. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1208

Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.14A. Ic(puls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1209. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/100V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Högströmsväxling. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 5A. Märkning på höljet: C3074. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 2. obs: för att byta applikationer. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V