NPN-transistor 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

NPN-transistor 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.85kr
5-24
11.93kr
25-49
10.64kr
50-99
9.76kr
100+
8.55kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 12

NPN-transistor 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: nej. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 800mA. Kostnad): 1.8pF. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C2705. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Obs: 9mm. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1145. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Temperatur: +150°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 11/12/2025, 15:01

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC2705
29 parametrar
Kollektorström
50mA
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Darlington-transistor?
nej
FT
200 MHz
Funktion
ljudförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
800mA
Kostnad)
1.8pF
Max hFE-förstärkning
160
Minsta hFE-förstärkning
80
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C2705
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Obs
9mm
Pd (effektförlust, max)
0.8W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SA1145
Teknik
"Epitaxial Type (PCT Process)"
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
150V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SC2705