Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: MONITOR. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V

Antal per fodral: 1. Kompatibilitet: CVM4967A. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Display-HA, Hi-res. Max hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 16A. Ekvivalenta: SAMSUNG 891 464744AA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad". Tf(max): 0.4us. Hölje: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Typ av transistor: NPN. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Display-HA. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: VGA-skärm

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 3. Kollektorström: 7A. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 60W. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf (typ): 0.1us. Hölje: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Hölje (enligt datablad): TO3PML. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 230V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1837. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V

Kostnad): 220pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 70W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: MONITOR

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Spec info: MONITOR. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Display-HA. Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: MONITOR (F). Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Display-HA. Kollektorström: 7A. obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Vce(sat) 3V. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. obs: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Märkning på höljet: C5103. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Funktion: Motordrivare, LED-drivrutin. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1952

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: C5129. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: falltid 0.15..03us (64kHz). Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 10A. obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Funktion: HA, Hi-res. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 40A. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F2A ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: Monitor -HA

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: snabb drift, för horisontell avböjning (TV). Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5149. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorström: 10A. obs: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Spec info: TO-3P (Plastic). CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 2A. Märkning på höljet: C5171. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.16V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1940

Kostnad): 170pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 10A. Märkning på höljet: C5198 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1941. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 200pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 15A. Märkning på höljet: C5200 (Q). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1943. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Collector-Emitter Voltage VCEO: 230V. Kollektorström: 15A. Effekt: 150W. Hölje: TO-264