Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 3.15kr | 3.94kr |
10 - 24 | 2.99kr | 3.74kr |
25 - 49 | 2.83kr | 3.54kr |
50 - 98 | 2.67kr | 3.34kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 3.15kr | 3.94kr |
10 - 24 | 2.99kr | 3.74kr |
25 - 49 | 2.83kr | 3.54kr |
50 - 98 | 2.67kr | 3.34kr |
2SD965. Kostnad): 50pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: AF-utgångsförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 340. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 12:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.