Transistorer

C(tum): 1300pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Fälteffekttransistor MOS II.5. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC-DC spänningsomvandlare. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 5.5A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 400V

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K1393. Drain-source spänning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 150 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 675pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 3.6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V

C(tum): 700pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1mA. Märkning på höljet: K1461. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 2.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: V-MOS, S-L. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3BP. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 3V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 21F1B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SK1489. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 140 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 500 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1200pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: K1507. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 160 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: F-II Series POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 700pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektförstärkarapplikation. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Märkning på höljet: K1529. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekt Silicon N-Channel MOS-typ. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 180V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.8V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SJ200. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 1 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: FAP-IIA Series. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V

C(tum): 690pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Hög hastighet. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 300uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 210 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 400pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 1mA. Märkning på höljet: K2043. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 3.2 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: kisel MOSFET transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 4 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4pF. Kostnad): 4pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: FM-tunerapplikationer. ID (T=25°C): 20mA. Idss (max): 12mA. IDss (min): 0.6mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+125°C. Spänning Vds(max): 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.5V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 730pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 0.1mA. Märkning på höljet: K2129. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 3.2 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 160 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: Power F-MOS FET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 200V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 6A. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS-L. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 2A. Pd (effektförlust, max): 20W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: FAP-IIA Series. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 2A. Pd (effektförlust, max): 20W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: FAP-IIA Series. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V

C(tum): 1100pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 155 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Bilelektronik. Id(imp): 108A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2314. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140us. Td(på): 30us. Teknik: Power Field-Effect Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 6A. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 2 Ohms. Teknik: V-MOS (F). Spänning Vds(max): 700V. obs: 70/160ns. Antal per fodral: 1

Kostnad): 700pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2372. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 160 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. C(tum): 3600pF. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 0.42 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. ID (T=25°C): 3mA. Idss (max): 14mA. IDss (min): 6mA. Märkning på höljet: K246BL. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Port-/källspänning Vgs: -30V. Grind/källa spänning (av) max.: 6V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: komplementär transistor (par) 2SJ103

C(tum): 900pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högspänningsomkopplingsapplikationer. Id(imp): 12A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 63 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS