Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 110.21kr | 137.76kr |
2 - 2 | 104.70kr | 130.88kr |
3 - 4 | 99.19kr | 123.99kr |
5 - 9 | 93.67kr | 117.09kr |
10 - 19 | 91.47kr | 114.34kr |
20 - 29 | 89.27kr | 111.59kr |
30 - 56 | 85.96kr | 107.45kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 110.21kr | 137.76kr |
2 - 2 | 104.70kr | 130.88kr |
3 - 4 | 99.19kr | 123.99kr |
5 - 9 | 93.67kr | 117.09kr |
10 - 19 | 91.47kr | 114.34kr |
20 - 29 | 89.27kr | 111.59kr |
30 - 56 | 85.96kr | 107.45kr |
2SK1529. C(tum): 700pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektförstärkarapplikation. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Märkning på höljet: K1529. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekt Silicon N-Channel MOS-typ. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 180V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.8V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SJ200. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 23/01/2025, 04:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.