Transistorer

C(tum): 2040pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. IDss (min): na. Märkning på höljet: K2843. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 190 ns. Td(på): 58 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( 2-10R1B ). Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT.MOSV). G-S Skydd: ja

C(tum): 950pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 900ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 1.87 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: TT-MOSV. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -...+150°. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 740pF. Kostnad): 380pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.045 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO–220FM. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 2150pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1.05 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 900V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: DC-DC omvandlare, relä & motordrivning. G-S Skydd: ja

C(tum): 790pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 0.028 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 160pF. Kostnad): 85pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 10uA. Märkning på höljet: KE. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 120ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MOS FET. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod KE. G-S Skydd: ja

C(tum): 550pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1.3us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 1.6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: POWER Switching MOSFET, industriell användning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5400pF. Kostnad): 1900pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 38m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 190 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: Fälteffekttransistor MOS-V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Växlingslägesregulator, DC-DC-omvandlare, motordrivrutin. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 650pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 2us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Ekvivalenta: FS5KM-10-AW. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: V-MOS (F). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F-3L. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 7A. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 1.62 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON POWER MOS-FET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Funktion: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

C(tum): 1200pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 0.75us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. obs: Panasonic--B1CERR000022. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2280pF. Kostnad): 290pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 0.7us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 84A. ID (T=25°C): 21A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 78 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). G-S Skydd: NINCS

C(tum): 740pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 2.3 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 1.46 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 21 ns. Teknik: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1050pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3561. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

C(tum): 1050pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (max): 6A. Märkning på höljet: K3562. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 550pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (max): 5A. Märkning på höljet: K3563. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. G-S Skydd: ja

C(tum): 700pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 850 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 9A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3564. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 3.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 125 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIV). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

C(tum): 1150pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 900ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3565. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIV). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

C(tum): 470pF. Kostnad): 50pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 720 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 7.5A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3566. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 5.6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIV). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (max): 3.5A. Märkning på höljet: K3567. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 1.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. G-S Skydd: ja

C(tum): 1500pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3568. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

C(tum): 1500pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3569. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Vikt: 1.7g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 180 ns. Td(på): 50 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): SC-67, 2-10U1B. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOSVI). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 700pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 850 ns. Typ av transistor: MOSFET. Idss: 100uA. Antal terminaler: 3. Resistans Rds På: 3.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 125 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIV). Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3667. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 1100pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 3.2us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: K3679. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 95W. Resistans Rds På: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS