Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A743. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1

Antal per fodral: 1. Spec info: ersättning

Antal per fodral: 1

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. FT: 1250 MHz. Kollektorström: 20mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-39. Hölje (enligt datablad): SOT-39. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 20V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 13V. Vebo: 0.3V

Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: 4502C. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 52A. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Effekt: 228W. Hölje: TO-247AC. Inbyggd diod: ja. Drain-source spänning (Vds): 1200V

C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. IDss (min): 10mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 14V. Spec info: komplementär transistor (par) ALF08P20V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. IDss (min): 10mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 14V. Spec info: komplementär transistor (par) ALF08N20V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 630pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 16.8 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (max): 5.7A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 1uA. Resistans Rds På: 22m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21.5 ns. Td(på): 3.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 12V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 933pF. Kostnad): 108pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 21 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 5.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Spec info: Drift gate spänning så låg som 2,5V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 621pF. Kostnad): 118pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 1.4W. Resistans Rds På: 23.4m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15.1 ns. Td(på): 4.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 520pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 11 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (max): 4.1A. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1160pF. Kostnad): 187pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 17.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 1.4W. Resistans Rds På: 18M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51.7 ns. Td(på): 6.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ESD-skyddad. G-S Skydd: ja

C(tum): 2060pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.7W. Resistans Rds På: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4407A. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2330pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. Resistans Rds På: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 49.5 ns. Td(på): 12.8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 6060pF. Kostnad): 638pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 33.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. Resistans Rds På: 0.0047 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51.5 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Funktion: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Ultralågt grindmotstånd. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Resistans Rds På: 28/35m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SOP-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal. Spec info: ersätta MOSFET

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Resistans Rds På: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

Kanaltyp: N-P. Antal per fodral: 2. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Idss: 1...5uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16.2/4.8 ns. Td(på): 6.4 ns. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Antal per fodral: 2. obs: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)