N-kanals transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A

N-kanals transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A. N-kanals transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (max): 5.7A. Resistans Rds På: 22m Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 630pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 16.8 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. Id(imp): 25A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21.5 ns. Td(på): 3.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Port-/källspänning Vgs: 12V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 08:25.