Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 94.40kr | 118.00kr |
2 - 2 | 89.68kr | 112.10kr |
3 - 4 | 84.96kr | 106.20kr |
5 - 9 | 80.24kr | 100.30kr |
10 - 16 | 78.35kr | 97.94kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 94.40kr | 118.00kr |
2 - 2 | 89.68kr | 112.10kr |
3 - 4 | 84.96kr | 106.20kr |
5 - 9 | 80.24kr | 100.30kr |
10 - 16 | 78.35kr | 97.94kr |
2SK1358. C(tum): 1300pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Fälteffekttransistor MOS II.5. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 10:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.