Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 65.66kr | 82.08kr |
2 - 2 | 62.38kr | 77.98kr |
3 - 4 | 60.41kr | 75.51kr |
5 - 9 | 59.09kr | 73.86kr |
10 - 19 | 57.78kr | 72.23kr |
20 - 29 | 55.81kr | 69.76kr |
30 - 51 | 53.84kr | 67.30kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 65.66kr | 82.08kr |
2 - 2 | 62.38kr | 77.98kr |
3 - 4 | 60.41kr | 75.51kr |
5 - 9 | 59.09kr | 73.86kr |
10 - 19 | 57.78kr | 72.23kr |
20 - 29 | 55.81kr | 69.76kr |
30 - 51 | 53.84kr | 67.30kr |
N-kanals transistor, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V - 2SK2611. N-kanals transistor, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2040pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1.6us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. G-S Skydd: ja. Id(imp): 27A. Märkning på höljet: K2611. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 95 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIII). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.