Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 29.00kr | 36.25kr |
5 - 9 | 27.55kr | 34.44kr |
10 - 17 | 26.10kr | 32.63kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 29.00kr | 36.25kr |
5 - 9 | 27.55kr | 34.44kr |
10 - 17 | 26.10kr | 32.63kr |
2SJ512. C(tum): 800pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 205 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Förbättringsläge låg dräneringskälla vid motstånd". Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 1 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: Silicon P Chanel Mos Fet. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 20V. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 11:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.