Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 190.79kr | 238.49kr |
2 - 2 | 181.25kr | 226.56kr |
3 - 4 | 171.71kr | 214.64kr |
5 - 9 | 162.17kr | 202.71kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 190.79kr | 238.49kr |
2 - 2 | 181.25kr | 226.56kr |
3 - 4 | 171.71kr | 214.64kr |
5 - 9 | 162.17kr | 202.71kr |
2SK1271. C(tum): 1800pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högspänningsomkoppling. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Pd (effektförlust, max): 240W. Resistans Rds På: 4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: TO-3PN 13-16A1A. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 1400V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 3.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.5V. Avloppsskydd: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.