2SK1217

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	257.14kr	321.43kr
2 - 2	244.28kr	305.35kr
3 - 4	231.42kr	289.28kr
5 - 9	218.57kr	273.21kr
10 - 14	213.42kr	266.78kr
15 - 19	208.28kr	260.35kr
20+	200.57kr	250.71kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	257.14kr	321.43kr
2 - 2	244.28kr	305.35kr
3 - 4	231.42kr	289.28kr
5 - 9	218.57kr	273.21kr
10 - 14	213.42kr	266.78kr
15 - 19	208.28kr	260.35kr
20+	200.57kr	250.71kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

2SK1217. C(tum): 1400pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: V-MOS. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 11:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!