AON6512

AON6512. C(tum): 3430pF. Kostnad): 1327pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 22 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 1.9m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 33.8 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: "Senaste Trench Power AlphaMOS-tekniken". Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 20:25.