APT15GP60BDQ1G

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	137.04kr	171.30kr
2 - 2	130.19kr	162.74kr
3 - 4	123.34kr	154.18kr
5 - 9	116.48kr	145.60kr
10 - 13	113.74kr	142.18kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	137.04kr	171.30kr
2 - 2	130.19kr	162.74kr
3 - 4	123.34kr	154.18kr
5 - 9	116.48kr	145.60kr
10 - 13	113.74kr	142.18kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 13

Set med 1

APT15GP60BDQ1G. C(tum): 1685pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 55ms. Funktion: Strömförsörjning med högfrekvent switchläge. Kollektorström: 56A. Ic(puls): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: POWER MOS 7® IGBT. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 23:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!