APT8075BVRG

APT8075BVRG. C(tum): 2600pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 260W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power MOSV. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: snabb växling, lågt läckage. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 23:25.