AP88N30W

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	127.70kr	159.63kr
2 - 2	121.31kr	151.64kr
3 - 4	114.93kr	143.66kr
5 - 9	108.54kr	135.68kr
10 - 14	105.99kr	132.49kr
15 - 19	103.43kr	129.29kr
20 - 29	99.60kr	124.50kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	127.70kr	159.63kr
2 - 2	121.31kr	151.64kr
3 - 4	114.93kr	143.66kr
5 - 9	108.54kr	135.68kr
10 - 14	105.99kr	132.49kr
15 - 19	103.43kr	129.29kr
20 - 29	99.60kr	124.50kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 29

Set med 1

AP88N30W. C(tum): 8440pF. Kostnad): 1775pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 88N30W. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 312W. Resistans Rds På: 48m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET . Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 36

IXTQ88N30P

C(tum): 6300pF. Kostnad): 950pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Fu...

Set med 1

186.46kr moms incl.
(149.17kr exkl. moms)

186.46kr

Vi rekommenderar även :

Antal i lager : 1

TMP87CK70

obs: RTV240 EGC...

[MODCATID]

[LOT]

517.18kr moms incl.
(413.74kr exkl. moms)

517.18kr