IXTQ88N30P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	149.17kr	186.46kr
2 - 2	141.72kr	177.15kr
3 - 4	134.26kr	167.83kr
5 - 9	126.80kr	158.50kr
10 - 14	123.82kr	154.78kr
15 - 19	120.83kr	151.04kr
20 - 36	116.36kr	145.45kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	149.17kr	186.46kr
2 - 2	141.72kr	177.15kr
3 - 4	134.26kr	167.83kr
5 - 9	126.80kr	158.50kr
10 - 14	123.82kr	154.78kr
15 - 19	120.83kr	151.04kr
20 - 36	116.36kr	145.45kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 36

Set med 1

IXTQ88N30P. C(tum): 6300pF. Kostnad): 950pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 600W. Resistans Rds På: 40m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!