PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): SANYO--PCP4. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 5A. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Antal terminaler: 7. Antal per fodral: 1. Spec info: 2SB1121 och SB05-05CP integrerade i ett fodral

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65 MHz. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 5000. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) FN1016. CE-diod: ja

NPN-transistor, 3A, PCP4, 15V. Kollektorström: 3A. Hölje (enligt datablad): PCP4. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 100. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. Spec info: Transistor + diode block. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT558. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 5.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT949. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: Mycket låg mättnadsspänning

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 3A, 40V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. obs: hFE 100...400. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Spec info: TO-92

NPN-transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 3A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 160...320. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: Oisolerat hölje

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: KSA642-O

NPN-transistor, 0.15A, 60V. Kollektorström: 0.15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: 9mm. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

NPN-transistor, 0.7A, 80V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF/S. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Spec info: 9mm höjd. CE-diod: ja

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 55pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSC2073. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 2pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 300. Märkning på höljet: A992. Ekvivalenta: 2SC992. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSC1845. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 150. Märkning på höljet: B1366-G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon PNP Triple Diffused Type. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) KSD2012. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, 30 v. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Typ av transistor: PNP. Spec info: SAMSUNG. CE-diod: ja

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. obs: pinout E, C, B. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 6pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PNP epitaxiell kiseltransistor. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Typ av transistor: PNP. Spec info: 0504-000142. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 47. BE-motstånd: 47. Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: 12159-301-810. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 10. BE-motstånd: 10. Kostnad): 3.7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, 150V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Kostnad): 50pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxial Planar PNP Transistor . Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 280pF. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: Högeffekts ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Märkning på höljet: B778. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KTD998. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS