PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 300. Märkning på höljet: A992. Ekvivalenta: 2SC992. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSC1845. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 35pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 150. Märkning på höljet: B1366-G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) KSD2012. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon PNP Triple Diffused Type. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, 30 v. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. obs: pinout E, C, B. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 6pF. CE-diod: NINCS. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PNP epitaxiell kiseltransistor. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Spec info: 0504-000142. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 47. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 47. Kostnad): 2.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Spec info: 12159-301-810. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 10. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10. Kostnad): 3.7pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, 150V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxial Planar PNP Transistor . Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 280pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: Högeffekts ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Märkning på höljet: B778. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) KTD998. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11015G. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11016. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 50A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 300pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11032. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11033G. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 70. C(tum): TO-3. Kostnad): TO-204AA. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: Krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15003. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 360pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 10. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15015. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15016G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 18 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15022. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15022. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 280pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15024. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 250V, 16A, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15025G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ21193G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ21196. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V