NPN-transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE253G

NPN-transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE253G. NPN-transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -4A. Hölje: TO-126. Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 15W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE243. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 00:25.