PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11015G. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11016

NPN-transistor, -60V, -50A. Collector-Emitter Voltage VCEO: -60V. Kollektorström: -50A. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Effekt: 300W

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 50A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 300pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11032

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11033G. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: 70. C(tum): TO-3. Kostnad): TO-204AA. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: Krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 25. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15003. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Ic(puls): 20A

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 360pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 10. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15015. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15016G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 18 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15022. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15022. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kostnad): 280pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15024. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 250V, 16A, -250V, -16A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. Collector-Emitter Voltage VCEO: -250V. Kollektorström: -16A. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15025G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ21193G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kostnad): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ21196. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Funktion: Switch- och förstärkarapplikationer. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 115W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N3055. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ2955G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 115W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, -100V, -6A, I-PAK. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Hölje: I-PAK. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 20W

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J45H11. Gränsfrekvens ft [MHz]: 90 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -150V. C(tum): -8A. Kostnad): 50W. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15030G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, -250V, -8A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: -250V. Kollektorström: -8A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 50W

NPN-transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220. Kostnad): 2pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 10. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15032. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 8A. obs: komplementär transistor (par) MJE15034G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 120pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE200. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -4A. Hölje: TO-126. Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 15W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE243