PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE2955T. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE2955TG. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP Power Transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE350. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. C(tum): 7pF. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ekvivalenta: KSE350. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vebo: 3V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Collector-Emitter Voltage VCEO: -300V. Kollektorström: -0.5A. Hölje: TO-126. Tillverkarens märkning: MJE350G. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 20W. Maxfrekvens: 10MHz

NPN-transistor, 8A, 400V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 450V

NPN-transistor, 450/400V, -8A, TO-220AB. Collector-Emitter Voltage VCEO: 450/400V. Kollektorström: -8A. Hölje: TO-220AB. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 80W

NPN-transistor, -80V, -4A, TO-126. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -4A. Hölje: TO-126. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Effekt: 40W. Maxfrekvens: 1MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 260V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.7pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: hFE 45(min). Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL3281A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO–3PBL. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 500pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21194. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: Effektljud, låg harmonisk distorsion. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL4281A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon Power Bipolar Transistor. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201446. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW3281A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power bipolär transistor. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Utmärkt förstärkningslinjäritet. Produktionsdatum: 2015/04. Max hFE-förstärkning: 80. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW21196. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2F. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Märkning på höljet: 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. Spec info: SMD 2A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2T. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Märkning på höljet: 2T. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2L. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2GM. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2GM. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 170pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningsförstärkare transistor (SMD -version av MPSA42 -transistorn). Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. obs: 2D. Märkning på höljet: 2D. Ekvivalenta: PMBTA92.215. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MMBTA42. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2D. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2D. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C