PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DB. Gränsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Kollektorström: 0.03A. Hölje: SOT-39. Hölje (enligt datablad): SOT-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 1.6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 1W. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1W. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20V, 25mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor. Funktion: UHF-V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V, SOT-37. Kollektorström: 30mA. Hölje: TO-50. Hölje (enligt datablad): TO-50. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Hölje: SOT-37. Halvledarmaterial: kisel. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 30mA, 20V. Kollektorström: 30mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-V. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BFN37. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 12V. Samlarström Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: X1p. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-motstånd: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: hög DC-ström, relädrivrutiner, lampdrivrutiner. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 1.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BSP50. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP62. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 50...300. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Spec info: screentryck/CMS-kod T8. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor. Funktion: VHR758 EV. Antal per fodral: 1. CE-diod: ja

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: komplementär transistor (par) CSD1133

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 20A. Ekvivalenta: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: par D44H11. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D45H11G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D45H8G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, -80V, -15A, TO–220AB. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -15A. Hölje: TO–220AB. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 83W

NPN-transistor, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Kollektorström: 50mA. Hölje (enligt datablad): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 14

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Digital transistor (inbyggd förspänningsmotstånd). Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 14

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Digitala transistorer (inbyggda motstånd). Märkning på höljet: 15. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Spec info: screentryck/SMD-kod 15. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SC-72. Hölje (enligt datablad): SC-72 ( D143 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 4.7k Ohms. BE-motstånd: 47k Ohms. Kostnad): 3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PNP-resistorutrustad transistor. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 10V. Spec info: screentryck/SMD-kod 19. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 190 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 480. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 4A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) FMMT619. Spec info: screentryck/SMD-kod 720