PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D45H8G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, -80V, -15A, TO–220AB. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -15A. Hölje: TO–220AB. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 83W. Maxfrekvens: 50 MHz

NPN-transistor, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Kollektorström: 50mA. Hölje (enligt datablad): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 14. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Digital transistor (inbyggd förspänningsmotstånd). Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 14. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Digitala transistorer (inbyggda motstånd). Märkning på höljet: 15. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 15. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SC-72. Hölje (enligt datablad): SC-72 ( D143 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 4.7k Ohms. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 47k Ohms. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PNP-resistorutrustad transistor. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 19. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 190 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 480. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 4A. obs: komplementär transistor (par) FMMT619. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 720. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): SANYO--PCP4. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 7. RoHS: ja. Spec info: 2SB1121 och SB05-05CP integrerade i ett fodral. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) FN1016. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, PCP4, 15V. Kollektorström: 3A. Hölje (enligt datablad): PCP4. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 6. RoHS: ja. Spec info: Transistor + diode block. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT558. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 5.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT949. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 3A, 40V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. obs: hFE 100...400. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Spec info: TO-92. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 160...320. Spec info: Oisolerat hölje. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.15A, 60V. Kollektorström: 0.15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: 9mm. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.7A, 80V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF/S. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: 9mm höjd. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 55pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) KSC2073. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 300. Märkning på höljet: A992. Ekvivalenta: 2SC992. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSC1845. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 35pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 150. Märkning på höljet: B1366-G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) KSD2012. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon PNP Triple Diffused Type. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, 30 v. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Typ av transistor: PNP