PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 5A, 45V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDP950. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: ja. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 1500. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 20A. obs: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDT65C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 15A, 100V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: 130.42144. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kollektorström: 10A. RoHS: ja. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65B. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3

NPN-transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW47G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 85W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BDW83C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-93. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-93. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW84D. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BDW83D. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW94C. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: komplementär transistor (par) BDW93CF. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V

NPN-transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Motstånd B: 10k Ohms. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 150 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Max hFE-förstärkning: 750. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) BDX33C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDX34CG. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDX54C. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: R1 typ. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: komplementär transistor (par) BDX53F. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: komplementär transistor (par) BDX67C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: komplementär transistor (par) BDX67C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, 50V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 36W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 450 MHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 100mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 830mW. Spec info: komplementär transistor (par) BF420. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-92, TO-92, 250V, 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kollektorström: 0.05A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BF422. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 100A

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF450. Gränsfrekvens ft [MHz]: 350 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v