NPN-transistor BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

NPN-transistor BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
71.77kr
5-14
67.38kr
15-29
64.18kr
30-59
61.04kr
60+
55.35kr
Antal i lager: 21

NPN-transistor BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 15A. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Power Integrations. Antal i lager uppdaterad den 11/12/2025, 14:13

Teknisk dokumentation (PDF)
BDV64C-POW
22 parametrar
Kollektorström
12A
Hölje
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-93
Kollektor-/emitterspänning Vceo
120V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+150°C
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
15A
Minsta hFE-förstärkning
1000
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Pd (effektförlust, max)
125W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) BDV65C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Power Integrations