PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-93. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-93. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD250C. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V, 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Kollektorström: 4A. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 36W. Spec info: komplementär transistor (par) BD435. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. RoHS: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 130. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 7A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 36W. Spec info: komplementär transistor (par) BD437. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Collector-Emitter Voltage VCEO: -45V. Kollektorström: -4A. Hölje: TO-126 FULLPACK. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 36W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD440. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD442. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 36W. Spec info: isolerat hölje. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 20. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 1500. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 62.5W. RoHS: ja. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD652. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, 45V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD678. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 750. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) BD677A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD680. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 14W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD679A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100V, 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) BD681. Typ av transistor: PNP. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Minsta hFE-förstärkning: 750

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD682G. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, 120V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. obs: >750. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD810G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-202. Hölje (enligt datablad): TO-202; SOT128B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 8W. Spec info: komplementär transistor (par) BD829. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, 100V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. obs: >750. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) BD901. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, 45V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 90W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD911. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Kostnad): TO-220AB

NPN-transistor, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD911. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP