PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 36W. Spec info: isolerat hölje. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 20. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 1500. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 62.5W. RoHS: ja. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

FT: 10 MHz

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD652. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, 45V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD678. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD678. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD680. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 14W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD679A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, -100V, -4A, TO-126. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -4A. Hölje: TO-126. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Effekt: 40W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD682G. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, 120V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. obs: >750. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD810G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-202. Hölje (enligt datablad): TO-202; SOT128B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 8W. Spec info: komplementär transistor (par) BD829. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, 100V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. obs: >750. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) BD901. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, 45V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 90W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD911. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Motstånd B: Effekt. BE-motstånd: TO220. C(tum): 90W. Kostnad): -100V

NPN-transistor, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD911. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 5A, 45V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDP950. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: ja. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 1500. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 20A. obs: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDT65C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 15A, 100V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: 130.42144. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kollektorström: 10A. RoHS: ja. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65B. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3