Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 43.55kr | 54.44kr |
5 - 9 | 41.38kr | 51.73kr |
10 - 24 | 40.07kr | 50.09kr |
25 - 49 | 39.20kr | 49.00kr |
50 - 55 | 38.33kr | 47.91kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 43.55kr | 54.44kr |
5 - 9 | 41.38kr | 51.73kr |
10 - 24 | 40.07kr | 50.09kr |
25 - 49 | 39.20kr | 49.00kr |
50 - 55 | 38.33kr | 47.91kr |
NPN-transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A - BDV64BG. NPN-transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kollektorström: 10A. RoHS: ja. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65B. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 17:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.