PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: N93003. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 1000. Spec info: komplementär transistor (par) STN83003. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -20V. Kollektorström: -1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 1W

NPN-transistor, -45V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -45V. Kollektorström: -1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.8W

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funktion: switching, ljudförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) TIP102. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP126. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-220, 5A, TO-220, 100V, -100V, -5A. Hölje: TO-220. Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -5A. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Effekt: 75W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kostnad): 300pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122G. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP127. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Kostnad): 70pF. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 8A. Max hFE-förstärkning: 15000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 12V. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP132. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP147. Gränsfrekvens ft [MHz]: 500. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142T. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, -100V, -10A, TO-3P. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -10A. Hölje: TO-3P. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Effekt: 125W

NPN-transistor, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V, -100V, -15A. Hölje: TO-247. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Kollektorström: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -15A. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP2955. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 90W. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. obs: komplementär transistor (par) TIP3055. Spec info: Låg kollektor-emitter-mättnadsspänning

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP30. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Kostnad): 160pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP31C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-247. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP33C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): 45pF. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. Kollektorström: 25A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP33C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 50A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP35C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 100V, 25A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP36CG. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP41C. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 65W

NPN-transistor, -100V, -6A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 65W

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 6B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 6D. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 1.6mm. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Kollektorström: 100nA (ICBO). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SM-8. Spänning: 60V. Max hFE-förstärkning: 100 (500mA, 2V). Antal terminaler: 8. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 2.75W. Typ av transistor: PNP & PNP. Driftstemperatur: -55°C ~ 150°C. Antal per fodral: 2. Mättnadsspänning VCE(lat): 500mV (200mA, 2A)