PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V, -100V, -6A. Hölje: TO-220. Kollektorström: 6A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP41C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 65W

NPN-transistor, -100V, -6A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 65W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Spec info: screentryck/SMD-kod 6B. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Spec info: screentryck/SMD-kod 6D. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 1.6mm. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Kollektorström: 100nA (ICBO). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SM-8. Antal per fodral: 2. Spänning: 60V. Max hFE-förstärkning: 100 (500mA, 2V). Antal terminaler: 8. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 2.75W. Typ av transistor: PNP & PNP. Driftstemperatur: -55°C ~ 150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 500mV (200mA, 2A)

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 15pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX451. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,9V. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX653. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.17V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 0.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZTX758. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,9V. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 150. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX690. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,95V. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 300. Ic(puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.45V. Vebo: 5V