PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A6A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.24W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A6E. Maximal förlust Ptot [W]: 0.24W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA92. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92AMMO. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.25V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) MPSA06. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA56. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 125 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2000. Spec info: komplementär transistor (par) MPSA42. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. C(tum): 60pF. Kostnad): 6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -30V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. C(tum): 4.5pF. Kostnad): 10pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 75. Ic(puls): 30A. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) NJW0281. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. C(tum): 9pF. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30MHz. Funktion: ljudeffektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 75. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) NJW3281. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3P, 250V, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NJW21193G. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, 60V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. obs: hFE 20...70. obs: komplementär transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT89 (SC-62). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 85pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 80. Ic(puls): 15A. obs: PBSS4041NX. Märkning på höljet: 6g. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 75 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 60mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 300mV. Vebo: 5V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod 6G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 600mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Kostnad): 29pF. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 800mA. Märkning på höljet: *T2, P2T, T2T, W2T. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod P2T, T2T, W2T, komplementär transistor (par) PMBT4401. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 75pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92AMMO. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Allmän förstärkare. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2907A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-363. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: B*1. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: dubbel PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A6A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.24W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. C(tum): 11pF. Kostnad): 1.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 160. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.28V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-motstånd: 4. Kostnad): 3pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Klass B Push-pull-drift. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. Spec info: utmärkt hFE-linjäritet. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Kostnad): 95pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Klass B Push-pull-drift. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. Spec info: utmärkt hFE-linjäritet. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Funktion: Medium Power Förstärkare. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) STD1862

NPN-transistor, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: N9260. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 150 ns. Typ av transistor: PNP. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Funktion: högspänningssnabbväxling, PNP-effekttransistor. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS