PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2907A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-363. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: dubbel PNP-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: B*1. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A6A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.24W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. C(tum): 11pF. Kostnad): 1.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 160. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.28V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 4. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Klass B Push-pull-drift. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Spec info: utmärkt hFE-linjäritet. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 95pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Klass B Push-pull-drift. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Spec info: utmärkt hFE-linjäritet. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Funktion: Medium Power Förstärkare. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Spec info: komplementär transistor (par) STD1862. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Antal per fodral: 1. Funktion: högspänningssnabbväxling, PNP-effekttransistor. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: N9260. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 150 ns. Typ av transistor: PNP. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: N93003. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) STN83003. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: switching, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 15A. obs: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP102. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP126. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. C(tum): 75pF. Kostnad): 10pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kostnad): 300pF. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122G. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP127. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Kostnad): 70pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 8A. Max hFE-förstärkning: 15000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 12V. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP132. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP147. Gränsfrekvens ft [MHz]: 500. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Monolitisk älskling. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Monolitisk älskling. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142T. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Kollektorström: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP2955. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. obs: komplementär transistor (par) TIP3055. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Spec info: Låg kollektor-emitter-mättnadsspänning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP30. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 160pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP31C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-247. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP33C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): 45pF. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. Kollektorström: 25A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP33C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 50A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP35C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 100V, 25A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP36CG. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP41C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP