PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: N93003. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) STN83003. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -20V. Kollektorström: -1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 1W. Maxfrekvens: 65MHz. Ansökningar: Audio

NPN-transistor, -45V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -45V. Kollektorström: -1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.8W. Maxfrekvens: 150MHz. Ansökningar: Audio

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: switching, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 15A. obs: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP102. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP126. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. C(tum): 75pF. Kostnad): 10pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2)

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kostnad): 300pF. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122G. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP127. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP137. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, -100V, 100V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): -100V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP147. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Monolitisk älskling. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-247, 15A, TO-247, 70V. Hölje: TO-247. Kollektorström: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. RoHS: ja. obs: komplementär transistor (par) TIP3055. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Spec info: Låg kollektor-emitter-mättnadsspänning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP30. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 160pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP31C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, TO-247, 10A, TO-247, 140V. Hölje: TO-247. Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. RoHS: ja. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP33C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V

NPN-transistor, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Hölje: TO-247. Kollektorström: 25A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 50A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP35C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 45pF. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Produktionsdatum: 1512. Max hFE-förstärkning: 50

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 100V, 25A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP36CG. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 6A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP41C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, -100V, -6A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 65W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Spec info: screentryck/SMD-kod 6B. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Spec info: screentryck/SMD-kod 6D. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 1.6mm. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Kollektorström: 100nA (ICBO). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SM-8. Antal per fodral: 2. Spänning: 60V. Max hFE-förstärkning: 100 (500mA, 2V). Antal terminaler: 8. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 2.75W. Typ av transistor: PNP & PNP. Driftstemperatur: -55°C ~ 150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 500mV (200mA, 2A)

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 15pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX451. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V