PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AD. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AM. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 1.5A. Märkning på höljet: AH. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod AH. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 63. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod AK. Märkning på höljet: AK. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BCX56-16. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT89, -80V. Hölje: SOT89. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. Polaritet: PNP. Effekt: 1W. VCBO med kollektorbas: -100V. Monteringstyp: SMD. Bandbredd MHz: 125MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Nuvarande Max 1: -1A. Serie: BCX

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AL. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: NF/S. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD140. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V, 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kollektorström: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD139-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 3A

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD139. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, 45V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Ljud-, kraftlinjär- och växlingsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD237. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD238G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, -80V, -2A, TO-126. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -2A. Hölje: TO-126. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 25W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD239C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD241C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD242CG. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD244C. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C

NPN-transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 6A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD243C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) BD245C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) BD245C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BD249C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BD249C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BD249C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP