PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP 5316. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP56-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AH. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCP56-10. Gränsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +155°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCP69/25. Gränsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCP69. Gränsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 500mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 4.7k Ohms. BE-motstånd: 4.7k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: PNP Silicon Digital Transistor. Minsta hFE-förstärkning: 50. Märkning på höljet: XUs. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: XHs. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Märkning på höljet: 3Ls. Antal terminaler: 4. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Funktion: PNP Silicon Dual Transistor. Spec info: screentryck/SMD-kod 3Ls. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 250. obs: screentryck/SMD-kod C2. Märkning på höljet: C2. Pd (effektförlust, max): 300mW. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 32V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. obs: >120. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCW69R. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: T1. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 125V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: PNP transistor, för AF och växlingsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 63. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: DKs. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...150°C. Vcbo: 125V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX41. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 125V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DKs. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Spec info: screentryck/SMD-kod AA

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AD. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AM. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 1.5A. Märkning på höljet: AH. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod AH

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 63. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod AK. Märkning på höljet: AK. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX56-16

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: PNP transistor. BE-motstånd: PCB-lödning (SMD). C(tum): SOT-89. Kostnad): TO-243. CE-diod: ytmonterad komponent (SMD). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod AL. Märkning på höljet: AL. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX56-16

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AL. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: NF/S. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD140. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD139

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD140-10. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C