PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 250. obs: screentryck/SMD-kod C2. Märkning på höljet: C2. Pd (effektförlust, max): 300mW. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 32V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. obs: >120. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCW69R. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: T1. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 125V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: PNP transistor, för AF och växlingsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 63. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: DKs. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Spec info: komplementär transistor (par) BCX41. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...150°C. Vcbo: 125V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 125V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DKs. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Spec info: screentryck/SMD-kod AA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AD. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AM. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 1.5A. Märkning på höljet: AH. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod AH. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 63. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod AK. Märkning på höljet: AK. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BCX56-16. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: PNP transistor. BE-motstånd: PCB-lödning (SMD). C(tum): SOT-89. Kostnad): TO-243. CE-diod: ytmonterad komponent (SMD). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod AL. Märkning på höljet: AL. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Spec info: komplementär transistor (par) BCX56-16. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AL. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: NF/S. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD140. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Spec info: komplementär transistor (par) BD139. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD140-16. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Spec info: komplementär transistor (par) BD139-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD139. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, 45V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-126. Kostnad): SOT-32. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Ljud-, kraftlinjär- och växlingsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) BD237. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD238G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD239C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD241C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD242CG. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD244C. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 15. Pd (effektförlust, max): 65W. Spec info: komplementär transistor (par) BD243C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V