PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC557C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 320 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Switching och AF-förstärkare. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C559A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 200...450. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Spec info: komplementär transistor (par) BC550B. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 380. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC550C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: PNP transistor. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): TO-226AA. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Spec info: komplementär transistor (par) BC550C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. C(tum): 110pF. Kostnad): 9pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Produktionsdatum: 1997.04. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 800mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC639. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC640-16. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. C(tum): 110pF. Kostnad): 9pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 800mW. Spec info: komplementär transistor (par) BC639-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC640. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Märkning på höljet: 5B. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 5B. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5B1. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 5C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 5C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 125. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 3A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 475. Minsta hFE-förstärkning: 220. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3B. Ekvivalenta: ON Semiconductor BC856BLT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 3B. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.065V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-70. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-323. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 125. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3E. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: °C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Vebo: 5V