PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Märkning på höljet: 5B. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 5B. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5B1. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 5C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 5C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 125. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 3A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Kollektorström: 100mA. Ekvivalenta: ON Semiconductor BC856BLT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 3B. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.065V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 475. Minsta hFE-förstärkning: 220. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3B

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-70. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-323. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 125. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3E. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: °C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kollektorström: 100mA. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3F. Antal terminaler: 3

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3F. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: TSSOP6. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: dubbel PNP-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: 3Ft. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3 G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/CMS-kod 3G. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, SOT23, 30V. Hölje: SOT23. Collector-Emitter Voltage VCEO: 30V. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. Polaritet: PNP. Effekt: 0.25W. VCBO med kollektorbas: 30V. Monteringstyp: SMD. Bandbredd MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 220. Nuvarande Max 1: 0.1A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3G. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3L. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 475. Minsta hFE-förstärkning: 220. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3F. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3 G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 3G/4C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 4C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. C(tum): 10pF. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. obs: komplementär transistor (par) BC850C. Märkning på höljet: 4g. Antal terminaler: 3. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 4G. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 0.25W. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V