PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V. CE-diod: ja

NPN-transistor, 0.1A, 20V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 25V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -60V. C(tum): -0.5A. Kostnad): 0.85W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.65 MHz. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 85V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.65 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C32716. Gränsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Gränsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-40. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-40

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-40. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Hölje: TO-92. Kollektorström: 0.8A. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -30V. C(tum): -0.8A. Kostnad): 0.63W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC369. Gränsfrekvens ft [MHz]: 45 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -20V. Kollektorström: -1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.625W

NPN-transistor, 0.1A, 180V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Spec info: TO18

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.4A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 3000. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: komplementär transistor (par) BC517

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC556B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC546B

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC556B. Gränsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, -65V, -0.1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -65V. Kollektorström: -0.1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.5W