PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 35V, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 60V/50V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD882. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1047. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 10. BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1133. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 70V

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Motstånd B: 10. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 47. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PNP transistor. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1138. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1207. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 45V/40V, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V/40V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A743. Gränsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor. Antal per fodral: 1. Spec info: ersättning

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Kollektorström: 20mA. Hölje: SOT-39. Hölje (enligt datablad): SOT-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 13V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. FT: 1250 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 32V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 32V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: B891F. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Motstånd B: NINCS. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 180pF. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: 1A. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): +175°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC141. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 45V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 120. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 460. Minsta hFE-förstärkning: 180. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC212BG. Gränsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 20V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 25V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.65 MHz. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 85V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Vebo: 7V