PNP bipolära transistorer

NPN-transistor. Antal per fodral: 1. Spec info: ersättning

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Kollektorström: 20mA. Hölje: SOT-39. Hölje (enligt datablad): SOT-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 13V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. FT: 1250 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

NPN-transistor, TO39, -60V. Hölje: TO39. Collector-Emitter Voltage VCEO: -60V. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. Polaritet: PNP. Effekt: 0.65W. VCBO med kollektorbas: -60V. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Bandbredd MHz: 50MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 30. Nuvarande Max 1: -1A. Serie: BC

NPN-transistor, 0.1A, 45V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 120. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 460. Minsta hFE-förstärkning: 180. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC212BG. Gränsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 20V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 25V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.65 MHz. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 85V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.65 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C32716. Gränsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Gränsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-40. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V