PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L. Max hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2390

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: 1. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic(puls): A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2390. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2394

NPN-transistor, 12A, 150V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2401

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2438

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2439

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 110V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. obs: >5000. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2495

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Funktion: HI-FI Audio Effektförstärkare och regulator. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2560

NPN-transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): MT-25 (TO220). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Kostnad): 100pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 110V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2589. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-1, 30 v, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.125W

NPN-transistor, 0.15A, 25V. Kollektorström: 0.15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. obs: >30. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 35V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, 1.5A, 35V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 50V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 20W

NPN-transistor, PCB-lödning, M17/J, 90V/80V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M17/J. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V/80V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-lödning, M17/J, 40V/20V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M17/J. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20V/15V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V/15V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 25V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 25V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD468

NPN-transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SC-71. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 30V/25V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: B647. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD667. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 27pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD669A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS