PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 1.5A, 35V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 50V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 20W

NPN-transistor, PCB-lödning, M17/J, 90V/80V, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M17/J. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V/80V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20V/15V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V/15V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 25V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD468. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 25V

NPN-transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SC-71. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 30V/25V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: B647. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD667. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 27pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD669A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Märkning på höljet: B668. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD718. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 7A, 170V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 170V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V/60V. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 40W

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): MINI MOLD. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.7pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Max hFE-förstärkning: 460. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD601. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 35V, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 60V/50V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD882. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1047. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 10. BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1133. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 70V

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Motstånd B: 10. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 47. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PNP transistor. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1138. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1207. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 45V/40V, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V/40V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A743. Gränsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor. Antal per fodral: 1