PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.5A, 40V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 65V/60V, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V/60V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 2.5A, 35V. Kollektorström: 2.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 160 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. obs: Silicon PNP Epitaxial. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par)

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30V/25V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 55V, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 55V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 35V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 0.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, PCB-lödning, D18/C, 80V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, PCB-lödning, D35/B, 150V, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, D35/B, 20V/15V, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V/15V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 100V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 5W

NPN-transistor, 0.05A, 80V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30V/20V, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 0.03A. Driftstemperaturområde min (°C): PNP. Drifttemperaturområde max (°C): 30 v

NPN-transistor, 1A, 40V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): D8A/C. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 45V/35V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V/35V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 5W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 90V, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 1A, 20V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-126. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 4W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 90V, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, D18/C, 40V/32V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2073. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: ljud/video. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: 9mm höjd

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-process. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 80. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2235-Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2240. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS