PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, PCB-lödning, D18/C, 80V, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, PCB-lödning, D35/B, 20V/15V, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V/15V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, 80V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.03A, 30 v. Kollektorström: 0.03A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, 40V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, 20V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 4W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, D18/C, 40V/32V, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2073. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: ljud/video. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Spec info: 9mm höjd. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-process. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 80. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2235-Y. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2240. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2275. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 60V/50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 40V/32V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 120V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 8W

NPN-transistor, PCB-lödning, M10/J, 100V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M10/J. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 40W

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. obs: screentryck/SMD-kod BF. Märkning på höljet: BF. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1623S. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Medium POWER, solenoid, relä- och ställdondrivrutiner & DC/DC-moduler. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. obs: screentryck/SMD-kod BF. Märkning på höljet: BF. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1623T. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89 (SC-62). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 20pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 180. Märkning på höljet: BA. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: SMD BA0. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 39pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: NF/SL. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1683. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V