PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.5A, 400V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/S. Pd (effektförlust, max): 0.75W. Typ av transistor: PNP. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

NPN-transistor, 2A, 400V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF-S. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 150V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: TV-NF-L. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4381

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): FM20 (TO220F). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Kostnad): 60pF. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Högspännings-PNP-transistor för ljud- och allmänna applikationer.. Minsta hFE-förstärkning: 60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4382. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: NF-L. Minsta hFE-förstärkning: 50. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4466

NPN-transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 36pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF, lo-sat. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Ic(puls): 5A. Märkning på höljet: AG*. Ekvivalenta: LG 0TRRH80034A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4672. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 230V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4793. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: TV, SL. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5171. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Kostnad): 320pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Märkning på höljet: A1941. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5198. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Kostnad): 360pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Märkning på höljet: A1943 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5200. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, -230V, -15A. Collector-Emitter Voltage VCEO: -230V. Kollektorström: -15A. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Funktion: HI-FI effektförstärkare

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 25 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V. Funktion: NF-HI-FI. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5242. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, 230V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5359

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5707

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Ic(puls): 11A. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5707

NPN-transistor, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3SG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 150. Ic(puls): 25A. Märkning på höljet: A2210. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Reläförare, lampförare, motorförare. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC6082. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-1, 20V, 10mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 10mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.05W

NPN-transistor, 0.4A, 40V. Kollektorström: 0.4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 35V/30V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.4A, 30 v. Kollektorström: 0.4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: allmänt syfte. obs: hFE 70...140. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Spec info: 2SA562-O

NPN-transistor, 0.4A, 30 v. Kollektorström: 0.4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: allmänt syfte. obs: hFE 120...240. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Spec info: KTA562-Y

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 60V/40V, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 4.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 160. Id(imp): 0.4A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30V/25V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 60V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W