PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 140mA. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: A1209. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2911

NPN-transistor, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): 2-5K1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 40pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: NY. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck / SMD-kod NY. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, D3/B, 30V/20V, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D3/B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3182. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3263

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): MT-100. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI ljud. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 50. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3263. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 17A, 230V. Kollektorström: 17A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3264. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3280

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3281

NPN-transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 14A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3284. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3298. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3299

NPN-transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F (2-8A1H). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3421Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.05A. Hölje (enligt datablad): 2-8H1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 80. Pd (effektförlust, max): 5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 150V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3423. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. C(tum): 1.7pF. Kostnad): 2.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Funktion: video. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): MT-100(TO3P). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Märkning på höljet: A1386A. Pd (effektförlust, max): 130W. Vikt: 6g. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3519A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 60V/50V, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 5A, 35V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30V/25V, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Märkning på höljet: A1492. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3856

NPN-transistor, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def, Cre=2.2pF. Pd (effektförlust, max): 8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3953