PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 90V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6488

NPN-transistor, TO-92, 0.5A, TO-92, 350V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 0.5A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -350V. C(tum): 100pF. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 15. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6517. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2562

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Märkning på höljet: A1013. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2383. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Märkning på höljet: A1013-Y. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2383. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92, 2-5F1B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1162. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: 1015 Y. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1815Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, RM-60, 120V, 12A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: RM-60. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 120W

NPN-transistor, 10A, 140V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2581

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 200V, 17A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 200V. Samlarström Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 17A. Driftstemperaturområde min (°C): PNP. Drifttemperaturområde max (°C): 200V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SA1120. Gränsfrekvens ft [MHz]: 170 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 130. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: A1123. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxialhyveltyp . Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 60V/55V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/55V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Kollektorström: 10A. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 15A. Märkning på höljet: A1141. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V

NPN-transistor, 0.1A, 180V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Pd (effektförlust, max): 8W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.05A, 150V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. obs: 9mm. Märkning på höljet: A1145 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2705. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2706

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 35V/30V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Motstånd B: 47. BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, D6/C, 30V/20V, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-236, 55V/50V, 150mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 55V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, 80V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, 150V, 50mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Kollektorström: 0.07A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SANYO--MP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högspänningsomkoppling. Ic(puls): 0.14A. obs: 9mm höjd. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.14V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2910