Kvantitet (Set med 10) | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 16.14kr | 20.18kr |
2 - 2 | 15.33kr | 19.16kr |
3 - 4 | 14.53kr | 18.16kr |
5 - 9 | 14.20kr | 17.75kr |
10 - 24 | 13.72kr | 17.15kr |
25 - 49 | 11.85kr | 14.81kr |
50 - 907 | 11.27kr | 14.09kr |
Kvantitet (Set med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 16.14kr | 20.18kr |
2 - 2 | 15.33kr | 19.16kr |
3 - 4 | 14.53kr | 18.16kr |
5 - 9 | 14.20kr | 17.75kr |
10 - 24 | 13.72kr | 17.15kr |
25 - 49 | 11.85kr | 14.81kr |
50 - 907 | 11.27kr | 14.09kr |
NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V - 2SA1015Y. NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: 1015 Y. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1815Y. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 07/06/2025, 23:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.