PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): SC-67. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxiell plan typ . Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 95pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1804. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 20 ns. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V

NPN-transistor, 5A, 25V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 320 MHz. Funktion: Strob högströmsväxling. obs: hFE 140...280. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, 110V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. obs: =4000. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): ATV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: TU2. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V

NPN-transistor, 2A, 40V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. obs: hFE 180...390. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: 2SB1240R. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): ATV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Ic(puls): 4.5A. Märkning på höljet: B1243 (RN). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxiell plan typ . Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1913. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, 100V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. obs: >2000. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 120V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. obs: =10000. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Max hFE-förstärkning: 10000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1933. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1913. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L. Max hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2390. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: 1. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic(puls): A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2390. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2394. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, 150V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2401. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2438. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2439. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 110V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. obs: >5000. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2495. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: HI-FI Audio Effektförstärkare och regulator. Pd (effektförlust, max): 130W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2560. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): MT-25 (TO220). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 100pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2589. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 110V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.15A, 25V. Kollektorström: 0.15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. obs: >30. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 35V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 10W