PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2275

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 60V/50V, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 40V/32V, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 120V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 8W

NPN-transistor, PCB-lödning, M10/J, 100V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M10/J. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 40W

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. obs: screentryck/SMD-kod BF. Märkning på höljet: BF. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1623S. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. obs: screentryck/SMD-kod BF. Märkning på höljet: BF. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Funktion: Medium POWER, solenoid, relä- och ställdondrivrutiner & DC/DC-moduler. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1623T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89 (SC-62). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 180. Märkning på höljet: BA. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 39pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1683. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): SC-67. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 50pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxiell plan typ . Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 95pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 20 ns. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1804. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, 25V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 320 MHz. Funktion: Strob högströmsväxling. obs: hFE 140...280. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: PNP. Spec info: TO-251 (I-Pak)

NPN-transistor, 3A, 110V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. obs: =4000. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): ATV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: TU2. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V

NPN-transistor, 2A, 40V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. obs: hFE 180...390. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Spec info: 2SB1240R

NPN-transistor, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): ATV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Ic(puls): 4.5A. Märkning på höljet: B1243 (RN). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxiell plan typ . Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1913

NPN-transistor, 3A, 100V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. obs: >2000. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 120V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. obs: =10000. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Max hFE-förstärkning: 10000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1933

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1913

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS