NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B

Kvantitet (Set med 10)	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	3.27kr	4.09kr
5 - 9	3.10kr	3.88kr
10 - 24	2.94kr	3.68kr
25 - 49	2.77kr	3.46kr
50 - 99	2.61kr	3.26kr
100 - 149	2.45kr	3.06kr
150 - 25159	2.28kr	2.85kr

Kvantitet (Set med 10)	U.P
1 - 4	3.27kr	4.09kr
5 - 9	3.10kr	3.88kr
10 - 24	2.94kr	3.68kr
25 - 49	2.77kr	3.46kr
50 - 99	2.61kr	3.26kr
100 - 149	2.45kr	3.06kr
150 - 25159	2.28kr	2.85kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 251583

Set med 10

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Kostnad): 4.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 475. Minsta hFE-förstärkning: 220. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3B. Ekvivalenta: ON Semiconductor BC856BLT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod 3B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 11:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!